DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585| Назва: | Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію |
| Автори: | Богдан, О.В. |
| Ключові слова: | морфологія дослідження |
| Дата публікації: | 2020 |
| Видавництво: | Тези дововідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії |
| Бібліографічний опис: | с.73 |
| Короткий огляд (реферат): | Морфологія поверхні проводилися за допомогою атомно-силового мікроскопу NT-206 [1]. Зменшення швидкості сульфідної модифікації не впливає на загальну кількість хімічних зв’язків сірки з поверхневими атомами напівпровідника [2]. Досліджувались ділянки поверхні монокристалічних пластин n-GaAs (100) до та після модифікації поверхні сіркою тривалістю 80 с, і виявилося, що після обробки на поверхні спостерігається утворення неоднорідностей. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585 |
| Розташовується у зібраннях: | Тези доповідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію.pdf | 249,71 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.