Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію

Abstract

Морфологія поверхні проводилися за допомогою атомно-силового мікроскопу NT-206 [1]. Зменшення швидкості сульфідної модифікації не впливає на загальну кількість хімічних зв’язків сірки з поверхневими атомами напівпровідника [2]. Досліджувались ділянки поверхні монокристалічних пластин n-GaAs (100) до та після модифікації поверхні сіркою тривалістю 80 с, і виявилося, що після обробки на поверхні спостерігається утворення неоднорідностей.