DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/9040| Назва: | Features of volt-farad dependence of nonideal heterojunctions barrier capacity |
| Автори: | Borschak, V.A. Vilinskaya, L.N. Kutalova, M.I. Zatovskaya, N.P. Karpenko, A.O. |
| Ключові слова: | Heterojunctions barrier capacity tunneling-recombination mechanism volt-farad characteristic |
| Дата публікації: | 2016 |
| Короткий огляд (реферат): | Abnormal dependence of volt-farad characteristics of "nonideal" heterojunctin barrier capacity is investigated. It is shown that in heterojunctions with the big concentration and non-uniform distribution of defects tunnel currents essentially influence on the barrier capacity size |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/9040 |
| Розташовується у зібраннях: | Стаття в журналі |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 7 _Borschak_Vilinskaya_Kutalova_Zatovskaya_Karpenko_Features of volt-farad dependence of nonideal heterojunctions barrier capacity.pdf | Стаття | 333,09 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.